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陈小龙
博士
在职单位:中科院物理研究所研究员
擅长领域:新材料
陈小龙,博士,德国海德堡大学和巴洛意特大学洪堡学者。现任中科院物理研究所研究员,博士生导师,1999年获国家杰出青年科学基金,2004年至今兼任中国晶体学会副理事长和国际衍射数据中心(ICDD)中国区主席,2007年获ICDD Fellow称号,2009年成为“新世纪百千万人才工程”国家级人选,2009年获第五届“发明创业奖”特等奖,作为负责人带领宽禁带半导体材料研究与应用团队获2010年度“中国科学院先进集体”荣誉称号。
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教育背景
无
工作经历
长期从事宽禁带半导体材料和新功能晶体材料探索方面的研究工作,先后主持国家863、973和国家科技支撑计划等23个科研项目,取得了多项研究成果。系统开展了碳化硅晶体生长的基础和应用开发研究工作,解决了多项关键科学问题和系列关键技术,生长出2-4英寸高质量晶体;攻克了晶体制备重复性和稳定性等关键工程化问题,在国内率先实现了碳化硅晶体的产业化,碳化硅系列晶片批量供应国内用户,并出口至欧美和日本等发达国家,打破了国外的长期垄断,为发展我国宽禁带半导体产业奠定了基础。发现了一系列新的功能晶体材料,包括新超导体K0.8Fe2Se2和具有潜在应用价值的闪烁晶体YBa3B9O18等,精确测定了新化合物的晶体结构,其中120个化合物的衍射数据被ICDD收录为标准衍射数据。申请发明专利45项,其中已授权16项。在国际学术期刊上发表论文301篇,共被引用2549次(h因子23)。
参与项目
无
主要荣誉
无
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